Вернуться   Форум - Источники Питания > Разное > Теория и Наука > Специальные разделы физики

Ответ
 
Опции темы Опции просмотра
  #1  
Старый 23.08.2011, 03:54
SARYMAN SARYMAN вне форума
Администратор
 
Регистрация: 26.06.2015
Сообщений: 44
По умолчанию Вариант 2 Расчет теплоотводов Word 3Мб

Введение
Изготовление полупроводниковых приборов – комплекс сложных технологических операций с термической, химической и механической обработкой материалов. При этом размеры элементов полупроводниковых структур не превышают единиц, а иногда и долей микрона. Исходные материалы (германий, кремний, арсенид галлия и др.), определяющие будущие параметры и характеристики приборов, должны быть очищены от любых примесей. Значительное влияние на параметры полупроводниковых приборов оказывают структурные несовершенства кристаллов исходного материала.
Таким образом, сложность получения материалов с заданными свойствами содержит в себе предпосылки для разброса параметров готовых полупроводниковых приборов. Однако основной вклад в разброс параметров вносится в процессе их производства. Микроскопические размеры изделий затрудняют контроль геометрии p-n переходов приборов.
Характерной особенностью полупроводниковых приборов является зависимость их параметров от температуры. Так, например, обратный ток германиевого p-n перехода моет возрастать в 2 раза при повышении температуры на каждые 10о С. Для кремниевых приборов эта зависимость ещё значительней. В несколько раз может изменяться с изменением температуры такой важнейший параметр транзисторов, как коэффициент передачи тока. При увеличении температуры перехода полупроводникового прибора выше некоторого предельно допустимого значения переход изменяет свойства, перестаёт выполнять заданные функции в радиоэлектронной аппаратуре, причём эти изменения могут быть необратимыми. Интенсивность отказов кремниевых полупроводниковых приборов в диапазоне температур изменяется в десятки раз ( рис. 1 ).

Учитывая, что допустимые температуры полупроводниковых приборов ограничены, следует предусматривать сведение к минимуму выделения тепла, защиту от тепловых перегрузок и применение эффективных методов отвода тепла. Эти требования особенно существенны для мощных полупроводниковых приборов, которые работают при больших уровнях мощности на переходе. При конструировании радиоэлектронной аппаратуры малые температурные изменения параметров мощных приборов могут быть достигнуты эффективным охлаждением транзистора. Правильный выбор теплового режима работы полупроводникового прибора не только обеспечивает стабильность параметров радиоэлектронной аппаратуры, но и значительно снижает интенсивность отказов полупроводниковых приборов.
Использование всех мер, направленных на снижение рабочей температуры полупроводниковых приборов, облегчает их тепловой режим, повышает стабильность работы схем и увеличивает срок службы.
Предельно допустимая рассеиваемая мощность полупроводникового прибора зависит в основном от предельной температуры коллекторного перехода, температуры окружающей среды и условий охлаждения. Для оптимального использования полупроводниковых приборов и в первую очередь мощных необходимо создать такие условия их работы, которые обеспечили бы интенсивный отвод тепла от нагретого перехода. Применение специально сконструированных теплоотводов для полупроводниковых приборов позволяет в определённых пределах снижать рабочую температуру переходов при той же рассеиваемой мощности.
Соотношение между рассеиваемой мощностью и температурой перехода в значительной степени зависит от эффективности различных методов отвода тепла (рис. 2).





В случае параллельного соединения полупроводниковых приборов и расположения их на одном теплоотводе необходимо предусматривать равномерное распределение тепла по всему теплоотводу. В качестве теплоотвода может использоваться и часть конструкции блока или узла, при этом должна предусматриваться специальная обработка посадочных мест под приборы.
1. Краткая теория. Естественное и принудительное воздушное охлаждение.
Методы охлаждения изделий электронной техники являются одним из важных вопросов в связи с широким применением в РЭА мощных транзисторов, тиристоров, диодов, больших интегральных схем, мощных электровакуумных приборов и др. Проблема отвода тепла изделий электронной техники в первую очередь должна решаться на этапе разработки РЭА. Выделяемое изделиями тепло может быть отведено от поверхности прибора и передано за пределы аппаратуры несколькими методами, применяемыми отдельно или в сочетании друг с другом.
В зависимости от характера и назначения РЭА применяются следующие методы отвода тепла от индивидуальных изделий электронной техники или группы изделий:
естественное охлаждение ( воздушное, жидкостное );
принудительное воздушное охлаждение;
принудительное жидкостное ( без кипения или с поверхностным кипением );
охлаждение, основанное на изменении агрегатного состояния вещества;
термоэлектрическое охлаждение.
Эффективность того или иного метода охлаждения определяется интенсивностью протекающих процессов теплоотдачи. При этом, чем интенсивнее теплообмен, тем эффективнее способ охлаждения. Интенсивность теплообмена определяется значением коэффициента теплоотдачи.
Выбор метода охлаждения определяется следующими факторами: интенсивностью ( плотность ) теплового потока q, Вт/м², условиями теплообмена с окружающей средой, условиями эксплуатации ( возможность демонтажа или замены элементов), нормами эксплуатации ( уровнем шума, токсичностью хладагентов и т.п. ), затратами электроэнергии на привод нагнетателей и др.
Основным критерием выбора метода охлаждения является значение плотности теплового потока, проходящего через поверхность теплообмена: q = PKр /Sп, где Р–суммарная мощность, рассеиваемая РЭА с поверхности теплообмена; Kр – коэффициент, учитывающий давление воздуха.
Вторым критерием выбора метода охлаждения ∆То.с = Тк.мин – То.с, где Тк.мин – допустимая температура корпуса элемента; То.с – температура окружающей среды.
Для естественного охлаждения То.с = То.с.макс, то есть соответствует максимальной температуре окружающей среды; для принудительного воздушного охлаждения То.с = Твых, то есть соответствует температуре воздуха ( жидкости ) на выходе РЭА.
При естественном охлаждении отвод тепла от изделий электронной техники (ИЭТ) происходит за счёт теплопроводности, естественной конвекции окружающего газа или жидкости и излучения. Естественное охлаждение рекомендуется для наземной РЭА, к которой не предъявляются жёсткие требования по массе и габаритам.
Данный метод эффективен и экономичен для охлаждения ИЭТ с относительно небольшими рассеивающими мощностями.
При естественном воздушном методе отвода тепла применяют теплоотводы различных конструкций. Теплоотвод необходимо применять не для того, чтобы увеличить мощность рассеяния в приборе, а для максимального снижения рабочей температуры р–n перехода ( температуры корпуса ) при заданной мощности. Цель применения теплоотвода– повышение надёжности работы ИЭТ в РЭА.
Принудительное воздушное охлаждение рекомендуется для наземной, космической и бортовой РЭА, так как оно намного эффективнее естественного охлаждения, просто в исполнении, значительно снижает массу и габариты аппаратуры и, главное, позволяет увеличить срок службы ИЭТ. Кроме того, увеличивающееся количество элементов в меньших объёмах уменьшает возможные пути прохождения воздуха при естественном охлаждении и ведёт к перегреву и снижению срока службы изделий.
Принудительное воздушное охлаждение позволяет эффективно сглаживать температурные флуктуации вблизи наиболее нагружённых переходов полупроводниковых структур в быстродействующих логических системах с высокой плотностью элементов. Критериями выбора системы принудительного воздушного охлаждения служат масса, габариты или уровень потребления энергии на привод вентиляторной установки.
Теплоотдача при принудительном воздушном охлаждении осуществляется принудительной воздушной конвекцией и излучением. При принудительной конвекции коэффициент теплоотдачи определяется аэродинамическими условия обтекания данного тела и зависит от скорости движения среды и плотности. Выбор теплоносителя определяется в основном эксплуатационными требованиями, предъявляемыми к РЭА.
Эффективность охлаждения существенно повышается, если применять газы с давлением выше атмосферного. При воздушном газовом охлаждении при нормальном атмосферном давлении количество отводимого тепла может быть увеличено за счёт развития теплоотводящей поверхности, выполненной в виде оребрения.
При проектировании охлаждающего устройства основное внимание уделяется выбору формы рёбер и конструкции проточной части. Форма рёбер должна обеспечивать возможность развития достаточной для данных конкретных условий теплоотдающей поверхности, а также высокий коэффициент теплоотдачи и высокую эффективность рёбер при возможно меньшем гидравлическом сопротивлении проточной части. Этим условиям удовлетворяют гофрированные рёбра и рёбра с перфорацией.
Одним из путей увеличения интенсивности теплообмена является нанесение перфорации на пластину, приводящей к срыву пограничного слоя. Путём нанесения перфорации коэффициент теплоотдачи на продольно омываемых пластинках может быть повышен на 30-50 %.
Проточная часть системы должна обеспечивать возможно полное омывание рабочим телом теплоотдающей поверхности. При естественной конвекции необходимо размещать ребра в направлении, совпадающем с направлением движения восходящих потоков подогретого газа.
При принудительном воздушном охлаждении электронное изделие устанавливается в воздуховоде, который направляет охлаждающий газ ( воздух ) в межрёберное пространство. Стенки воздуховода должны плотно охватывать оребренную поверхность, чтобы можно было получить максимальную скорость движение газа в межреберном пространстве. Наиболее удачной считается конструкция, где воздуховод с ореберением образует единое целое.
Необходимо стремиться к тому, чтобы компоновка воздуховода с вентилятором исключала возможность входа газа ( воздуха ) в межреберное пространство под углом более 5-10˚, так как в этом случае часть динамического напора будет бесполезно затрачивается на преодоление дополнительного входного сопротивления.
Принудительное воздушное охлаждение рекомендуется для отвода тепла от индивидуальных ИЭТ или групп приборов. Так, для полупроводниковых приборов наиболее часто принудительное воздушное охлаждение применяется при Р = 20 – 100 Вт и более. При принудительном воздушном охлаждении рекомендуется выбирать скорость набегающего воздушного потока v до 4 м/с.
При принудительном газовом охлаждении в качестве теплоносителя вместо воздуха используют водород, азот, углекислоту, инертные газа. Газы применяют обычно при давлении, близком к атмосферному.
Наибольшее распространение по сравнению с принудительным газовым получило принудительное воздушное охлаждение при помощи разомкнутых систем охлаждения. В тех случаях, когда использование воздуха окружающей среды нежелательно ( что может иметь место при высокой влажности воздуха или эксплуатации изделия в верхних слоях атмосферы, где плотность воздуха понижена ), применяются замкнутые системы.
Типовой формой теплоотдачей поверхности при принудительном воздушном или газовом охлаждении является оребренной цилиндр, омываемый воздухом ( газом ) поперечно или продольно. В качестве оребряющих элементов используют гладкие перфорированные пластины или шины.
2. Расчёт теплоотводов полупроводниковых приборов
2. 1. Расчёт теплоотвода-пластины для естественного охлаждения
Расчёт состоит в определении геометрических размеров теплоотвода-пластины при заданной мощности Р, рассеиваемой полупроводниковым прибором и температуре окружающей среды То.с.
Р = 45 Вт; То.с = 40 ˚С;
Тп.макс = 125 ˚С; Rп-к = 2,5 ˚С/Вт; Rк-т = 2,1 ˚С/Вт;
1. Определим среднюю поверхностную температуру теплоотвода ( по модулю ):
Тср = q∙[Тп – P∙( Rп-к + Rк-т )] = 78,72 ˚С;
2. Рассчитаем перепад между средней поверхностной температурой теплоотвода и окружающей средой:
∆Т = Тср - То.с = 38,72 ˚С;
3. Выберем высоту пластины ( не более 0,1 м ):
L = 0,1 м;
4. Вычислим коэффициент αк теплоотдачи конвекцией:
αк = А1(Тm)∙B;
4.1. Найдём Тm:
Тm = 0,5∙( Тср + То.с ) = 59,36 ˚С;

4.2. Обнаружим зависимость А1(Тm):
при Тm = 59,36 ˚С, получим, что А1(Тm) = 1,34∙10-4;
4.3. Вычислим коэффициент В:
В = ( ∆Т/L )1/4 = 4,4359;
тогда вычислим
αк = 1,34∙10-4∙4,4359 = 5,9441∙10-4 ( Вт/м²•ºС )
5. Вычислим коэффициент αл теплоотдачи излучением:
αл = ε∙φ∙ƒ(Тср, То.с);
5.1. Зададимся степенью ε черноты полного нормального излучения:
из собственных конструктивных соображений предположим, что данный теплоотвод-пластина изготовлен из полированного алюминия, для которого ε = 0,04;
5.2. Определим коэффициент φ, учитывающий состояние поверхности радиатора:
так как поверхность пластины отполирована ( гладкая ), то φ = 1;
5.3. Обнаружим зависимость ƒ(Тср, То.с):
при Тср = 78,72 ˚С и То.с = 40 ˚С, получим ƒ(Тср, То.с) = 7,8∙10-4;
тогда получим
αл = 0,04∙1∙7,8∙10-4 = 3,12∙10-5(Вт/м²∙˚С);
6. Подсчитаем суммарный коэффициент α теплоотдачи:
α = αк + αл = 6,2561∙10-4 (Вт/м²∙˚С);
7. Рассчитаем теплообменную поверхность пластины:
F = P/( α∙∆Т ) = 45/( 6,2561∙10-4∙38,72) = 1857,6917 м²;
8. Зададимся толщиной δ пластины:
δ = 3∙10-4м;
9. Вычислим длину пластины:
l = ( F-2∙L∙δ)/2∙(L+δ) = 9016,9354 м;
Так как рассеиваемая мощность составляет 45 Вт, а теплоотвод-пластину рекомендуется применять до 5 Вт рассеиваемой мощности, то можно сказать при заданных условиях применение теплоотвода пластины непрактично и неэкономично.
2. 2. Расчёт оребрённого теплоотвода для принудительного охлаждения

Расчёт оребрённого теплоотвода для принудительного охлаждения состоит в определении теплового сопротивления теплоотвода и мощности, которую может рассеять теплоотвод с заданными геометрическими размерами и при заданной скорости обдува.
Заданными являются: мощность, рассеиваемая полупроводниковым прибором Р = 45 Вт;
температура окружающей среды То.с = 40 ˚С;
тепловое сопротивление ( переход-корпус ) Rп-к = 2,5 ˚С/Вт;
тепловое сопротивление ( корпус-теплоотвод ) Rк-т = 2,1 ˚С/Вт;
1. Рассчитаем тепловое сопротивление теплоотвода по исходным данным:
Rт-с.исх.д. = q∙[(( Тп -То.с )– P∙( Rп-к + Rк-т ))/Р] = 2,44 ˚С/Вт;
2. Найдём среднюю поверхностную температуру теплоотвода:
Тср = P∙Rт-с.исх.д.+ То.с = 69,8 ˚С;
3. Определим минимальную протяжённость ребра:
Lmin = 0,08 м;
4. Выберем толщину ребра:
d = 3∙10-3 м;
5. Выберем толщину основания теплоотвода:
δ = 3∙10-3 м;
6. Подберём расстояние между соседними рёбрами:
b = 1∙10-2 м;
7. Выберем высоту ребра:
h = 2,5∙10-2 м;
8. Зададимся протяжённостью ребра:
L = 0,12 м;
9. Высчитаем количество рёбер:
n = ( L+b )/( b+d ) = 10 шт.;
10. Рассчитаем длину плиты теплоотвода, на которой развиты рёбра:
l = b∙( n - 1 ) + 2d = 9,6∙10-2 м;
11. Подсчитаем площадь гладкой поверхности теплоотвода:
Sгл. = L∙l = 1,15∙10-2 м²;
12. Вычислим площадь оребрённой поверхности:
Sор. = S1 + S2 + S3,
где S1 = ( n – 1 )∙L∙b = 1,08∙10-2 м²;
S2 = ( δ + 2h )∙L∙n + 2l∙δ = 6,41∙10-2 м²;
S3 = 2n∙δ∙h = 15∙10-4 м²;
Sор. = 7,64∙10-2 м²;
13. Вычислим коэффициент αл теплоотдачи излучением:
αл = ε∙φ∙ƒ(Тср, То.с),
где ε = 0,04, φ = 1, ƒ(Тср, То.с) = 8,2;
тогда αл = 0,328 (Вт/м²∙˚С);
14. Вычислим коэффициент αк теплоотдачи конвекцией:
αк = 0,055( λв/L1/4 )∙( υ/ν )1/4 ,
где при температуре То.с = 40 ˚С, имеем λв = 276 (Вт/м²∙˚С), ν = 16,96∙106 м²/с, а скорость обдува υ= 2 м/с;
тогда αк = 0,4771 (Вт/м²∙˚С);
15. Подсчитаем суммарный коэффициент α теплоотдачи:
αгл. = αк + αл = 80,71∙10-2 (Вт/м²∙˚С);
16. Определим мощность рассеиваемую гладкой поверхностью:
Ргл. = αгл.∙Sгл.∙( Тср. - То.с ) = 0,2765 Вт;
17. Рассчитаем тепловое сопротивление гладкой поверхности:
Rт.гл.= 1/( αгл.∙Sгл ) = 92,8165 ( ˚С/Вт );
18. Найдём Тm:
Тm = (Тср + То.с)/2 = 54,9 ˚С;
19. Обнаружим зависимость А2(Тm):
А2(Тm) = 0,32;
20. Подсчитаем коэффициенты К и М:
К = ∆Т1/4 = 2,3364;
М = L1/4 = 0,5886;
21. На основании коэффициентов К и М, подсчитаем коэффициент С:
С = К/М = 3,9694;
22. Определим параметр η по следующей формуле:
η = А2(Тm)∙b∙C = 1,27∙10-2;
23. Обнаружим следующую зависимость, с помощью которой определим относительный температурный напор:
H = ƒ(η) = 1,12;
24. Подсчитаем температуру окружающей среды между рёбрами:
Т’о.с = Тср.- H∙(Тср. - То.с) = 36,424 ˚С;
25. Определим Т’m:
Т’m = 0,5(Тср.–Т’о.с) = 53,112 ˚С;
26. Обнаружим следующую зависимость:
А’1(Т’m) = 1,36∙10-4;
27. Подсчитаем заново коэффициент К, обозначим его К’:
К’= (Тср.–Т’о.с)1/4 = 2,4036;
28. Пересчитаем значение коэффициента С, обозначим его С’:
С’ = К’/М = 4,0836;
29. Коэффициент теплоотдачи конвекцией для оребрённой поверхности:
αк.ор. = 0,4771 (Вт/м²∙˚С);
30. Коэффициент теплоотдачи излучением для оребрённой поверхности:
αл.ор. = ε∙φ∙ƒ(Тср, Т’о.с.),
где φ = b/(2h + b) = 0,1666;
тогда αл.ор. = 5,33∙10-2;
31. Подсчитаем мощность рассеиваемую оребрённой поверхностью теплоотвода:
Рт.ор. = [αк.ор.∙( Тср. - Т’о.с) + αл.ор.∙( Тср. - Т’о.с) ]∙Sор.= 1,3524 Вт;
32. Тепловое сопротивление оребрённой поверхности теплоотвода:
Rт.ор.= ( Тср. - Т’о.с)/Рт.ор.= 24,6790 ( ˚С/Вт );
33. Определим общее расчётное тепловое сопротивление теплоотвода:
Rт.расч.= Rт.гл.∙ Rт.ор /(Rт.гл.+Rт.ор) = 1,9495 ( ˚С/Вт );
34. Вычислим мощность рассеиваемую гладкой и оребрённой поверхностями:
Рт.= Рт.гл.+ Рт.ор= 16,289 Вт;
Рассчитанное тепловое сопротивление меньше сопротивления рассчитанного по исходным данным, следовательно, данный радиатор можно использовать для охлаждения транзистора КТ 907а ( рис.3 ).



2. 3. Расчёт теплоотвода с петельно-проволочным оребрением для естественного охлаждения
Заданными являются: мощность, рассеиваемая полупроводниковым прибором Р = 45 Вт;
температура окружающей среды То.с = 40 ˚С;
тепловое сопротивление ( переход-корпус ) Rп-к = 2,5 ˚С/Вт;
тепловое сопротивление ( корпус-теплоотвод ) Rк-т = 2,1 ˚С/Вт;
толщина основания теплоотвода δ = 3∙10-3 м;
продольный размер основания теплоотвода b = 6,8∙10-2 м;
поперечный размер основания теплоотвода L = 6,8∙10-2 м;
диаметр проволочного оребрения d = 0,9∙10-3 м;
поперечный шаг S1= 12∙10-3 м;
продольный шаг S2 = 2,6∙10-3 м;
высота ребра h = 24∙10-3 м;
1. Рассчитаем высоту теплоотвода:
Н = 2h+ δ = 51∙10-3 м;
2. Рассчитаем высоту ребра ( длину полупетли ):
hрасч. = h – ( S1 – d )/2 = 18,45∙10-3 м;
3. Подсчитаем число петель на теплоотводе:
n = ( a/S2 – 1 )∙( b/S1 + 1) ≈ 168 шт.;
4. Полная теплоотдающая поверхность теплоотвода:
F = ( n – (Sпр.+ Sотв.)/2 S1∙S2 )∙( 2π∙d∙hрасч.+0,5π∙d∙S1 ) + 2(b+L)∙S2 + 2b∙L + Fпр. – Sпр. = 0,029 м²;
5. Рассчитаем коэффициент мощности:
Кр = 1 – ( Fпр/ F∙q² ) = 0.991;
6. Найдём мощность рассеиваемую теплоотводом:
Рт = Кр ∙Р = 44,595 Вт;
7. Рассчитаем допустимую максимальную температуру теплоотвода:
Тт.доп.макс.= Тп. - Р∙ Rп-к. - Рт ∙Rк-т = 81,139 ˚С;
8. Рассчитаем среднюю поверхностную температуру теплоотвода:
Тср.= 85 ˚С;
9. Подсчитаем площадь поверхности «натянутую» на радиатор:
F0 = 2( b + L )∙H + 2b∙L = 23,12∙10-3 м²;
10. Определим коэффициенты облучённости:
φ1,2 = F0/F = 0,7945;
φ2,1 = F0/Fполн. = 0,4;
11. С помощью полученных коэффициентов рассчитаем приведённую степень
черноты: εпр. = 1/( 1/ε1 + ( 1/ε2 –1 )∙ φ2,1) = 0,8915;
13. Коэффициент теплоотдачи излучением:
αл = εпр.∙φ1,2∙ƒ(Тср, То.с) = 6,363;
14. Коэффициент кинематической вязкости воздуха:
ν = ( 75∙10-6/Р )∙( 141 + Тm ) = 1,5∙10-5 м²/˚С;
15. Рассчитаем перепад между средней поверхностной температурой теплоотвода и
окружающей средой: ∆Т = Тср. - То.с.= 45 ˚С;
16. Определим число Грасгофа:
Gr = ( g∙β∙∆Т∙d³ )/ν²,
где β = 1/( 273 + То.с.) = 32∙10-4; g – ускорение свободного падения;
тогда Gr = 457,22;
17. Подберём из таблицы для заданной Тm соответствующий коэффициент
теплоотдачи воздуха: λв = 2,93∙10-2 (Вт/м²∙˚С);
18. Подберём из таблицы число Прандля:
Pr = 0,697;
19. Высчитаем число Нуссельта:
Nu = 1,2959;
20. Определим коэффициент теплоотдачи конвекцией:
αл = Nu∙λв/d = 42,1887 (Вт/м²∙˚С);
21. Найдём общий коэффициент оребрения:
α = αк + αл = 48,5717 (Вт/м²∙˚С);
22. Подсчитаем среднюю поверхностную температуру теплоотвода:
Т’ср.= Рт/ α∙F + То.с = 71,5515 ˚С;
23. Коэффициент оребрения:
Кор.= (F – 2( b + L )∙ δ )/2b∙L = 3,0584;
24. Условный коэффициент теплоотдачи на боковой поверхности ребра:
αусл.= α∙ Кор.= 148,5516 (Вт/м²∙˚С);
25. Радиус эквивалентного круга:
r0 = 0,5809 м;
26. Расчётный коэффициент теплоотдачи эквивалентной круглой пластины:
αрасч.= αусл.∙( ( b∙L –π r² пр. )/ ( πr²0–π r²пр.)) = 0,5765 (Вт/м²∙˚С);
27. Коэффициент теплопроводности материала:
λ = 220;
28. Рассчитаем параметр:
Х = (2 αрасч.∙r²0)/ λ∙δ)1/2 = 0,71;
29. Вычислим значение следующей функции:
Jr = ( 0,64lg(r0/X∙rпр.) + 1/X²- 0,25 )/(1 – ( rпр.∙r0)²) = 3;
30. Температура теплоотвода на границе поверхности, занимаемой основанием
полупроводникового прибора: Т0 = ( Jr∙Рт /2λ ) + То.с = 40,304 ˚С;
31. Максимальная температура теплоотвода:
Тт.макс. = Т0 + Рт/4π∙ λ∙S = 40,8586 ˚С;
32. Проверка правильности расчётов:
Тт.доп.макс. ≥ Тт.макс.
81,139 ≥ 40,8586;
Следовательно расчёты произведены верно, поэтому данный петельно-проволочный радиатор можно использовать для отвода тепла от транзисторов модели КТ 907а.

Выводы.
В данной курсовой работе рассматриваются способы расчётов радиаторов, предназначенных для охлаждения полупроводниковых приборов, все расчёты производились на ЭВМ в математическом пакете MatLab. Данная работа показывает всю необходимость применения в современной электротехнике радиаторов, так как всё больше элементов изготовляется из высококачественных полупроводников, а как следствие возникает проблема отвода тепла от этих приборов. Поэтому, с уверенностью можно сказать, что дальнейшее развитие электротехники повлечёт за собой и развитие радиаторов. Будет проведена огромная работа по открытию новых способов охлаждения ИЭТ, будут созданы принципиально новые формы радиаторов.

Список используемой литературы:
1. Воробьёв Н.И. - Проектирование электронных устройств. – М.: Высш. шк. 1989.
2. Аксёнов Л.И. – Отвод тепла в полупроводниковых приборах. – М.: Энергия,
1971.
3. Транзисторы для аппаратуры широкого применения: Справочник. – М.: Радио и
связь, 1981.
4. Роткоп Л.Л. – Обеспечение тепловых режимов при конструировании
радиоэлектронной аппаратуры. – М.: Советское радио, 1976.
5. Давидов Н.Д. – Анализ и расчёт тепловых режимов полупроводниковых
приборов. – М.: Энергия, 1967.
Вложения
Тип файла: rar теплоотводы.rar (1.22 Мб, 71 просмотров)
Ответить с цитированием
Ответ

Опции темы
Опции просмотра

Ваши права в разделе
Вы не можете создавать новые темы
Вы не можете отвечать в темах
Вы не можете прикреплять вложения
Вы не можете редактировать свои сообщения

BB коды Вкл.
Смайлы Вкл.
[IMG] код Вкл.
HTML код Выкл.

Быстрый переход


Текущее время: 16:00. Часовой пояс GMT +4.


Яндекс.Метрика